IRF640NPBF - MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

Número de pieza del fabricante

IRF640NPBF

Número interno de parte

ABC-IRF640NPBF

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

511441 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.64~~

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Especificaciones para IRF640NPBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRF640NPBF

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 18A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 67nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1160pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 150W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220AB

Paquete / Caja : TO-220-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IRF640NPBF

Hojas de datos : IRF640NPBF.pdf

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