IRF7351TRPBF - MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC

Número de pieza del fabricante

IRF7351TRPBF

Número interno de parte

ABC-IRF7351TRPBF

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

919121 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IRF7351TRPBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRF7351TRPBF

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.8 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 50µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1330pF @ 30V

Potencia - max : 2W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IRF7351TRPBF

Hojas de datos : IRF7351TRPBF.pdf

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