IRFUC20PBF - MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK

Número de pieza del fabricante

IRFUC20PBF

Número interno de parte

ABC-IRFUC20PBF

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

389662 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.84~~

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Especificaciones para IRFUC20PBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRFUC20PBF

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 350pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta), 42W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-251AA

Paquete / Caja : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IRF , IRFUC

Documentos para IRFUC20PBF

Hojas de datos : IRFUC20PBF.pdf

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