IRF7464PBF - MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC

Número de pieza del fabricante

IRF7464PBF

Número interno de parte

ABC-IRF7464PBF

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

110088 Pieces

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Especificaciones para IRF7464PBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRF7464PBF

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.2A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 730 mOhm @ 720mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 280pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Hojas de datos : IRF7464PBF.pdf

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