TSM1NB60CH C5G Ficha de datos
Especificaciones para TSM1NB60CH C5G
Número de pieza :
TSM1NB60CH C5G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción :
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
1A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
6.1nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
138pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-251 (IPAK)
Paquete / Caja :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-TSM1NB60CH C5G
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
818307 Piezas
Precio de referencia
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