TSM150NB04CR RLG Ficha de datos
Especificaciones para TSM150NB04CR RLG
Número de pieza :
TSM150NB04CR RLG
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción :
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
10A (Ta), 41A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
19nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1092pF @ 20V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
3.1W (Ta), 56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-PDFN (5x6)
Paquete / Caja :
8-PowerTDFN
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-TSM150NB04CR RLG
Fabricante
Breve descripción
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
2649542 Piezas
Precio de referencia
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