TPH5900CNH,L1Q Ficha de datos
Especificaciones para TPH5900CNH,L1Q
Número de pieza :
TPH5900CNH,L1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción :
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Serie :
U-MOSVIII-H
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
59 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 200µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
600pF @ 75V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
1.6W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-SOP Advance (5x5)
Paquete / Caja :
8-PowerVDFN
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-TPH5900CNH,L1Q
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1298899 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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