TPH3207WS Descargar hoja de datos PDF - GANFET N-CH 650V 50A TO247

Especificaciones para TPH3207WS

Número de pieza : TPH3207WS

Fabricante : Transphorm

Descripción : GANFET N-CH 650V 50A TO247

Serie : -

Estado de la pieza : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : GaNFET (Gallium Nitride)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 50A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 32A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.65V @ 700µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 8V

Vgs (Max) : ±18V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2197pF @ 400V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 178W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-247-3

Paquete / Caja : TO-247-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza del fabricante

TPH3207WS

Número interno de parte

ABC-TPH3207WS

Fabricante

Transphorm

Breve descripción

GANFET N-CH 650V 50A TO247

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

86944 Piezas

Precio de referencia

~~USD 0~~

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TPH3207WS Ficha de datos

Especificaciones para TPH3207WS

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