TN2130K1-G Ficha de datos
Especificaciones para TN2130K1-G
Número de pieza :
TN2130K1-G
Fabricante :
Microchip Technology
Descripción :
MOSFET N-CH 300V 0.085A SOT23-3
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
300V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
85mA (Tj)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 Ohm @ 120mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
50pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
360mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-236AB (SOT23)
Paquete / Caja :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-TN2130K1-G
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 300V 0.085A SOT23-3
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1324127 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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