TK9P65W,RQ Ficha de datos
Especificaciones para TK9P65W,RQ
Número de pieza :
TK9P65W,RQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción :
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
Serie :
DTMOSIV
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
9.3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
560 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 350µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
700pF @ 300V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
DPAK
Paquete / Caja :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-TK9P65W,RQ
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
832034 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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