TK35S04K3L(T6L1,NQ Ficha de datos
Especificaciones para TK35S04K3L(T6L1,NQ
Número de pieza :
TK35S04K3L(T6L1,NQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción :
MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3
Serie :
U-MOSIV
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
35A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.3 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1370pF @ 10V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
58W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
DPAK+
Paquete / Caja :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1263801 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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