TC58BYG1S3HBAI4 Ficha de datos
Especificaciones para TC58BYG1S3HBAI4
Número de pieza :
TC58BYG1S3HBAI4
Fabricante :
Toshiba Memory America, Inc.
Descripción :
2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
Serie :
Benand™
Estado de la pieza :
Active
Tipo de memoria :
Non-Volatile
Formato de memoria :
FLASH
Tecnología :
FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de la memoria :
2Gb (256M x 8)
Frecuencia de reloj :
-
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página :
25ns
Tiempo de acceso :
-
interfaz de memoria :
-
Suministro de voltaje :
1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
63-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor :
63-TFBGA (9x11)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-TC58BYG1S3HBAI4
Fabricante
Breve descripción
2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
156352 Piezas
Precio de referencia
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