STB13NM60N Descargar hoja de datos PDF - MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Especificaciones para STB13NM60N

Número de pieza : STB13NM60N

Fabricante : STMicroelectronics

Descripción : MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Serie : MDmesh™ II

Estado de la pieza : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 11A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 790pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 90W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D2PAK

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza del fabricante

STB13NM60N

Número interno de parte

ABC-STB13NM60N

Fabricante

STMicroelectronics

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

248458 Piezas

Precio de referencia

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Número de pieza	Marca	Descripción
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XCR3512XL-12PQ208I	Xilinx Inc.	IC CPLD 512MC 10.8NS 208QFP
XCR3512XL-10FG324C	Xilinx Inc.	IC CPLD 512MC 9NS 324BGA
EPM7256AETC144-7N	Intel	IC CPLD 256MC 7.5NS 144TQFP
EPM7512AETC144-10	Intel	IC CPLD 512MC 10NS 144TQFP
XCR3384XL-12PQ208I	Xilinx Inc.	IC CPLD 384MC 10.8NS 208QFP
M4A5-192/96-6VNC	Lattice Semiconductor Corporation	IC CPLD 192MC 6NS 144TQFP
EPM7064QC100-15MM	Intel	IC CPLD 64MC 15NS 100QFP

STB13NM60N Ficha de datos

Especificaciones para STB13NM60N

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