Especificaciones para SSM6N357R,LF

Número de pieza : SSM6N357R,LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción : SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 1.5nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 60pF @ 12V
Potencia - max : 1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento : 150°C
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 6-SMD, Flat Leads
Paquete del dispositivo del proveedor : 6-TSOP-F
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
4692821 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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