SSM6L35FU(TE85L,F) Ficha de datos
Especificaciones para SSM6L35FU(TE85L,F)
Número de pieza :
SSM6L35FU(TE85L,F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción :
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N and P-Channel
Característica FET :
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
180mA, 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
9.5pF @ 3V
Potencia - max :
200mW
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor :
US6
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
7738178 Piezas
Precio de referencia
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