SIZ988DT-T1-GE3 Ficha de datos
Especificaciones para SIZ988DT-T1-GE3
Número de pieza :
SIZ988DT-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Serie :
TrenchFET®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Característica FET :
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 10A, 10V, 4.1 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
Potencia - max :
20.2W, 40W
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
8-PowerWDFN
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-PowerPair®
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-SIZ988DT-T1-GE3
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1148903 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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