SIZ904DT-T1-GE3 Ficha de datos
Especificaciones para SIZ904DT-T1-GE3
Número de pieza :
SIZ904DT-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
Serie :
TrenchFET®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET :
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
12A, 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
435pF @ 15V
Potencia - max :
20W, 33W
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
6-PowerPair™
Paquete del dispositivo del proveedor :
6-PowerPair™
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-SIZ904DT-T1-GE3
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1180991 Piezas
Precio de referencia
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