SI1404BDH-T1-GE3 Ficha de datos
Especificaciones para SI1404BDH-T1-GE3
Número de pieza :
SI1404BDH-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
Serie :
TrenchFET®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
238 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
2.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
100pF @ 15V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
SC-70-6 (SOT-363)
Paquete / Caja :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-SI1404BDH-T1-GE3
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
2736251 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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