PMWD26UN,518 Ficha de datos
Especificaciones para PMWD26UN,518
Número de pieza :
PMWD26UN,518
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descripción :
MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
Serie :
TrenchMOS™
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Característica FET :
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
7.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
23.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1366pF @ 16V
Potencia - max :
3.1W
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-TSSOP
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-PMWD26UN,518
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
48269 Piezas
Precio de referencia
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