PMGD175XN,115 Ficha de datos
Especificaciones para PMGD175XN,115
Número de pieza :
PMGD175XN,115
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descripción :
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Característica FET :
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
900mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
225 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
1.1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
75pF @ 15V
Potencia - max :
390mW
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor :
6-TSSOP
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-PMGD175XN,115
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
60632 Piezas
Precio de referencia
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