PHN210,118 Ficha de datos
Especificaciones para PHN210,118
Número de pieza :
PHN210,118
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descripción :
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Serie :
TrenchMOS™
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Característica FET :
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
6nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
250pF @ 20V
Potencia - max :
2W
Temperatura de funcionamiento :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-SO
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-PHN210,118
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
56095 Piezas
Precio de referencia
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