PHD16N03T,118 Ficha de datos
Especificaciones para PHD16N03T,118
Número de pieza :
PHD16N03T,118
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descripción :
MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK
Serie :
TrenchMOS™
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
13.1A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
5.2nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
180pF @ 30V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
32.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
DPAK
Paquete / Caja :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-PHD16N03T,118
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
45474 Piezas
Precio de referencia
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