NVMFS5A160PLZT3G Ficha de datos
Especificaciones para NVMFS5A160PLZT3G
Número de pieza :
NVMFS5A160PLZT3G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descripción :
-60V7.7MOHMSINGLE
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
15A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
160nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
7700pF @ 20V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja :
8-PowerTDFN, 5 Leads
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-NVMFS5A160PLZT3G
Fabricante
Breve descripción
-60V7.7MOHMSINGLE
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
481887 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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