NTJD1155LT1G Ficha de datos
Especificaciones para NTJD1155LT1G
Número de pieza :
NTJD1155LT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descripción :
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N and P-Channel
Característica FET :
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
-
Potencia - max :
400mW
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor :
SC-88/SC70-6/SOT-363
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-NTJD1155LT1G
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
5114445 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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