MMDF2C03HDR2G Descargar hoja de datos PDF - MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

Especificaciones para MMDF2C03HDR2G

Número de pieza : MMDF2C03HDR2G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N and P-Channel

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.1A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 630pF @ 24V

Potencia - max : 2W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOIC

Peso : -

Condición : Nuevo y original

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza del fabricante

MMDF2C03HDR2G

Número interno de parte

ABC-MMDF2C03HDR2G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

56537 Piezas

Precio de referencia

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MMDF2C03HDR2G Ficha de datos

Especificaciones para MMDF2C03HDR2G

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