GA20JT12-263 Ficha de datos
Especificaciones para GA20JT12-263
Número de pieza :
GA20JT12-263
Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descripción :
TRANS SJT 1200V 45A
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
-
Tecnología :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
1200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
45A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 20A
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
3091pF @ 800V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
282W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
D2PAK (7-Lead)
Paquete / Caja :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-GA20JT12-263
Fabricante
Breve descripción
TRANS SJT 1200V 45A
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
81632 Piezas
Precio de referencia
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