FQB8N60CTM Ficha de datos
Especificaciones para FQB8N60CTM
Número de pieza :
FQB8N60CTM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descripción :
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Serie :
QFET®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
7.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1255pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
3.13W (Ta), 147W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-FQB8N60CTM
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
577080 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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