EPC2100ENGRT Ficha de datos
Especificaciones para EPC2100ENGRT
Número de pieza :
EPC2100ENGRT
Fabricante :
EPC
Descripción :
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Serie :
eGaN®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Potencia - max :
-
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
Die
Paquete del dispositivo del proveedor :
Die
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-EPC2100ENGRT
Fabricante
Breve descripción
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
158776 Piezas
Precio de referencia
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