EFC6612R-TF Ficha de datos
Especificaciones para EFC6612R-TF
Número de pieza :
EFC6612R-TF
Fabricante :
ON Semiconductor
Descripción :
MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
Serie :
-
Estado de la pieza :
Not For New Designs
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET :
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
-
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
-
Potencia - max :
2.5W
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
6-SMD, No Lead
Paquete del dispositivo del proveedor :
6-CSP (1.77x3.54)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-EFC6612R-TF
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1789872 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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