DMT10H009SSS-13 Descargar hoja de datos PDF - MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR

Especificaciones para DMT10H009SSS-13

Número de pieza : DMT10H009SSS-13

Fabricante : Diodes Incorporated

Descripción : MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : -

Tecnología : -

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : -

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : -

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : -

Temperatura de funcionamiento : -

Tipo de montaje : -

Paquete del dispositivo del proveedor : -

Paquete / Caja : -

Peso : -

Condición : Nuevo y original

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza del fabricante

DMT10H009SSS-13

Número interno de parte

ABC-DMT10H009SSS-13

Fabricante

Diodes Incorporated

Breve descripción

MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1356838 Piezas

Precio de referencia

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XC2C384-7PQ208C	Xilinx Inc.	IC CPLD 384MC 7.1NS 208QFP
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DMT10H009SSS-13 Ficha de datos

Especificaciones para DMT10H009SSS-13

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