DMN62D1LFB-7B Ficha de datos
Especificaciones para DMN62D1LFB-7B
Número de pieza :
DMN62D1LFB-7B
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descripción :
MOSFET N-CHAN 41V 60V X1-DFN1006
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
320mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
0.9nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
64pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
X1-DFN1006-3
Paquete / Caja :
3-UFDFN
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-DMN62D1LFB-7B
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CHAN 41V 60V X1-DFN1006
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
9515247 Piezas
Precio de referencia
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