DMN2320UFB4-7B Ficha de datos
Especificaciones para DMN2320UFB4-7B
Número de pieza :
DMN2320UFB4-7B
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descripción :
MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
320 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
0.89nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
71pF @ 10V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
520mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
X2-DFN1006-3
Paquete / Caja :
3-XFDFN
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-DMN2320UFB4-7B
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
4408404 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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