DGD2117S8-13 Ficha de datos
Especificaciones para DGD2117S8-13
Número de pieza :
DGD2117S8-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descripción :
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Configuración dirigida :
High-Side
Tipo de canal :
Single
Número de conductores :
1
Tipo de puerta :
IGBT, N-Channel MOSFET
Suministro de voltaje :
10V ~ 20V
Voltaje lógico - VIL, VIH :
6V, 9.5V
Corriente - Salida de Pico (Fuente, Fregadero) :
290mA, 600mA
Tipo de entrada :
Non-Inverting
Voltaje lateral alto - Máx (Bootstrap) :
600V
Tiempo de subida / caída (tipo) :
75ns, 35ns
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-SO
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-DGD2117S8-13
Fabricante
Breve descripción
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
652211 Piezas
Precio de referencia
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