CTLDM8120-M621H BK Ficha de datos
Especificaciones para CTLDM8120-M621H BK
Número de pieza :
CTLDM8120-M621H BK
Fabricante :
Central Semiconductor Corp
Descripción :
MOSFET P-CH 20V DFN6
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
950mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
3.56nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
200pF @ 16V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
TLM621H
Paquete / Caja :
6-XFDFN Exposed Pad
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V DFN6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
44148 Piezas
Precio de referencia
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