CSD86330Q3D Descargar hoja de datos PDF - MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON

Especificaciones para CSD86330Q3D

Número de pieza : CSD86330Q3D

Fabricante : T-I

Descripción : MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON

Serie : NexFET™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 25V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.6 mOhm @ 14A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 920pF @ 12.5V

Potencia - max : 6W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-PowerLDFN

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-LSON (3.3x3.3)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza del fabricante

CSD86330Q3D

Número interno de parte

ABC-CSD86330Q3D

Fabricante

T-I

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

754194 Piezas

Precio de referencia

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CSD86330Q3D Ficha de datos

Especificaciones para CSD86330Q3D

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