CSD25304W1015 Ficha de datos
Especificaciones para CSD25304W1015
Número de pieza :
CSD25304W1015
Fabricante :
T-I
Descripción :
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Serie :
NexFET™
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.15V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
4.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
595pF @ 10V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
750mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
6-DSBGA
Paquete / Caja :
6-UFBGA, DSBGA
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-CSD25304W1015
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
3353735 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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