CSD19538Q2T Descargar hoja de datos PDF - MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON

Especificaciones para CSD19538Q2T

Número de pieza : CSD19538Q2T

Fabricante : T-I

Descripción : MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON

Serie : NexFET™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 13.1A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 454pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 6-WSON (2x2)

Paquete / Caja : 6-WDFN Exposed Pad

Peso : -

Condición : Nuevo y original

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza del fabricante

CSD19538Q2T

Número interno de parte

ABC-CSD19538Q2T

Fabricante

T-I

Breve descripción

MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1406874 Piezas

Precio de referencia

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CSD19538Q2T Ficha de datos

Especificaciones para CSD19538Q2T

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