CSD19506KTT Descargar hoja de datos PDF - MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

Especificaciones para CSD19506KTT

Número de pieza : CSD19506KTT

Fabricante : T-I

Descripción : MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

Serie : NexFET™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 80V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 200A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 156nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 12200pF @ 40V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 375W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DDPAK/TO-263-3

Paquete / Caja : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza del fabricante

CSD19506KTT

Número interno de parte

ABC-CSD19506KTT

Fabricante

T-I

Breve descripción

MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

226121 Piezas

Precio de referencia

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CSD19506KTT Ficha de datos

Especificaciones para CSD19506KTT

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