BUK9E3R7-60E,127 Ficha de datos
Especificaciones para BUK9E3R7-60E,127
Número de pieza :
BUK9E3R7-60E,127
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descripción :
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Serie :
TrenchMOS™
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
120A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
95nC @ 5V
Vgs (Max) :
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
13490pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
293W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
I2PAK
Paquete / Caja :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-BUK9E3R7-60E,127
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
45994 Piezas
Precio de referencia
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