BSM180D12P3C007 Ficha de datos
Especificaciones para BSM180D12P3C007
Número de pieza :
BSM180D12P3C007
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descripción :
SIC POWER MODULE
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Característica FET :
Silicon Carbide (SiC)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 50mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
900pF @ 10V
Potencia - max :
880W
Temperatura de funcionamiento :
175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
Module
Paquete del dispositivo del proveedor :
Module
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-BSM180D12P3C007
Fabricante
Breve descripción
SIC POWER MODULE
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
59097 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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