APTMC120AM08CD3AG Ficha de datos
Especificaciones para APTMC120AM08CD3AG
Número de pieza :
APTMC120AM08CD3AG
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descripción :
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET :
Silicon Carbide (SiC)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 200A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 10mA (Typ)
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
490nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
9500pF @ 1000V
Potencia - max :
1100W
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Chassis Mount
Paquete / Caja :
D-3 Module
Paquete del dispositivo del proveedor :
D3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
58996 Piezas
Precio de referencia
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