APTM100UM45DAG Ficha de datos
Especificaciones para APTM100UM45DAG
Número de pieza :
APTM100UM45DAG
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descripción :
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
Serie :
POWER MOS 7®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
215A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
52 mOhm @ 107.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 30mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
1602nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
42700pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
5000W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
SP6
Paquete / Caja :
SP6
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-APTM100UM45DAG
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
59257 Piezas
Precio de referencia
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