APTM100DA33T1G Descargar hoja de datos PDF - MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Especificaciones para APTM100DA33T1G

Número de pieza : APTM100DA33T1G

Fabricante : Microsemi Corporation

Descripción : MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1000V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 23A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 396 mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 305nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 7868pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 390W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Chassis Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SP1

Paquete / Caja : SP1

Peso : -

Condición : Nuevo y original

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza del fabricante

APTM100DA33T1G

Número interno de parte

ABC-APTM100DA33T1G

Fabricante

Microsemi Corporation

Breve descripción

MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

39494 Piezas

Precio de referencia

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Número de pieza	Marca	Descripción
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LC4512V-35FTN256C	Lattice Semiconductor Corporation	IC CPLD 512MC 3.5NS 256FTBGA
XCR3384XL-10PQ208I	Xilinx Inc.	IC CPLD 384MC 9NS 208QFP
XC2C384-7PQG208C	Xilinx Inc.	IC CPLD 384MC 7.1NS 208QFP
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LC4512V-5TN176I	Lattice Semiconductor Corporation	IC CPLD 512MC 5NS 176TQFP
M4A3-32/32-10JC	Lattice Semiconductor Corporation	IC CPLD 32MC 10NS 44PLCC
EPM7512AEQC208-7	Intel	IC CPLD 512MC 7.5NS 208QFP

APTM100DA33T1G Ficha de datos

Especificaciones para APTM100DA33T1G

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