APTC60DAM35T1G Ficha de datos
Especificaciones para APTC60DAM35T1G
Número de pieza :
APTC60DAM35T1G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descripción :
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
72A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 72A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 5.4mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
518nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
14000pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
416W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
SP1
Paquete / Caja :
SP1
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-APTC60DAM35T1G
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
105552 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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