70T633S10BCI Ficha de datos
Especificaciones para 70T633S10BCI
Número de pieza :
70T633S10BCI
Fabricante :
IDT, Integrated Device Technology Inc
Descripción :
IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo de memoria :
Volatile
Formato de memoria :
SRAM
Tecnología :
SRAM - Dual Port, Asynchronous
Tamaño de la memoria :
9Mb (512K x 18)
Frecuencia de reloj :
-
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página :
10ns
Tiempo de acceso :
10ns
interfaz de memoria :
Parallel
Suministro de voltaje :
2.4V ~ 2.6V
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
256-LBGA
Paquete del dispositivo del proveedor :
256-CABGA (17x17)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-70T633S10BCI
Fabricante
Breve descripción
IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
30039 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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