2SK2315TYTR-E Ficha de datos
Especificaciones para 2SK2315TYTR-E
Número de pieza :
2SK2315TYTR-E
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descripción :
MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
3V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
173pF @ 10V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
UPAK
Paquete / Caja :
TO-243AA
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-2SK2315TYTR-E
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
76752 Piezas
Precio de referencia
Nuestro precio
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