1N5622US Ficha de datos
Especificaciones para 1N5622US
Número de pieza :
1N5622US
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descripción :
DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) :
1000V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) :
1A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si :
1.3V @ 3A
Velocidad :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) :
2µs
Corriente - Fuga inversa @ Vr :
500nA @ 1000V
Capacitancia a Vr, F :
-
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
SQ-MELF, A
Paquete del dispositivo del proveedor :
D-5A
Temperatura de funcionamiento - Unión :
-65°C ~ 200°C
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-1N5622US
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
123664 Piezas
Precio de referencia
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